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| PtSi／P—Si红外探测器的优化设计与制作 | |
| 引用本文： | 李国正,李道全.PtSi／P—Si红外探测器的优化设计与制作[J].激光与红外,1995,25(5):46-47. |
| 作者姓名： | 李国正 李道全 |
| 作者单位： | 西安交通大学电子工程系 |
| 摘 要： | 本文对ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ红外探测器的结构进行了优化设计，并研制成功性能优良的器件。反向击穿电压达１８０Ｖ。在７７Ｋ下，反偏４Ｖ的漏电为５×１０－６μＡ，对１．５２μｍ的红外光，量子效率为２．４％。 |
| 关 键 词： | 铂硅红外光 红外探测器 |
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