| MCs~ -SIMS技术及其应用 |
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| 引用本文： | 岳瑞峰,王佑祥,陈新,陈春华,徐传骧. MCs~ -SIMS技术及其应用[J]. 真空科学与技术学报, 1997, 0(3) |
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| 作者姓名： | 岳瑞峰 王佑祥 陈新 陈春华 徐传骧 |
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| 作者单位： | 西安交通大学电气绝缘研究所!中国科学院表面物理国家重点实验室，中国科学院表面物理国家重点实验室!北京100080，中国科学院半导体研究所!北京100083，西安交通大学电气绝缘研究所!西安710049 |
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| 摘 要： | 强烈的基体效应一直是造成二次离子质谱（SIMS）难以定量分析和解释的主要原因。受其影响，常规SIMS，即M±－SIMS（检测原子型二次离子M＋或M－，M是要分析的元素）的适用范围受到了很大的限制。近几年来，上述状况已经通过一种新技术开发得到明显改善，这就是MCS＋－SIMS技术，即在CS＋一次离子轰击下检测分子型二次离子MCS＋而不是M±。由于该技术能明显减小甚至消除基体效应，从而开辟了SIMS定量分析的新途径。在综述MCS＋－SIMS技术的由来、发展、特点和应用以及MCS＋的生成机理的基础上，介绍了该技术的扩展思路。
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| 关 键 词： | 二次离子质谱 铯化物离子 定量分析 基体效应 |
MCs~ -SIMS Technique and its Applications |
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| Yue Ruifeng,Wang Youxiang,Chen Xin,Chen Chunhua. MCs~ -SIMS Technique and its Applications[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 1997, 0(3) |
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| Authors: | Yue Ruifeng Wang Youxiang Chen Xin Chen Chunhua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SIMS MCs~ Quantitative analysis Matrix effect |
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