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| n型4H-SiC上Ni/Pt和Ti/Pt欧姆接触(英文) | |
| 引用本文： | 秦龙,刘英坤,杨勇,邓建国.n型4H-SiC上Ni/Pt和Ti/Pt欧姆接触(英文)[J].半导体技术,2014(2). |
| 作者姓名： | 秦龙 刘英坤 杨勇 邓建国 |
| 作者单位： | 河北半导体研究所; |
| 摘 要： | 研究了Ni/Pt和Ti/Pt金属在n型4H-SiC上的欧姆接触。在1 020℃退火后,Ni/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为2.2×10-6Ω·cm2。Ti/Pt与n型4H-SiC欧姆接触的比接触电阻为5.4×10-6Ω·cm2,退火温度为1 050℃。虽然Ni的功函数比Ti的功函数高,但是Ni比Ti更容易与n型4H-SiC形成欧姆接触。使用能谱分析仪(EDX)分析了Ni/Pt和Ti/Pt金属与4HSiC接触面的元素,观察到C原子相对于Pt原子的原子数分数随退火温度的变化而不同。实验验证了在n型4H-SiC中退火导致的碳空位起施主作用是有利于欧姆接触形成的主要原因。 |
| 关 键 词： | 欧姆接触 n型H-SiC Ni/Pt和Ti/Pt 碳空位 比接触电阻 |
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