| 含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术 |
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| 引用本文： | 吕亚平,刘孝刚,陈明祥,刘胜.含TSV结构的3D封装多层堆叠Cu/Sn键合技术[J].半导体技术,2014(1). |
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| 作者姓名： | 吕亚平 刘孝刚 陈明祥 刘胜 |
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| 作者单位： | 华中科技大学机械科学与工程学院;武汉光电国家实验室MOEMS研究部; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(51275194);国家重大科技专项资助项目(2009ZX02038) |
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| 摘 要： | 研究了利用Cu/Sn对含硅通孔(TSV)结构的多层芯片堆叠键合技术。采用刻蚀和电镀等工艺,制备出含TSV结构的待键合芯片,采用扫描电子显微镜(SEM)对TSV形貌和填充效果进行了分析。研究了Cu/Sn低温键合机理,对其工艺进行了优化,得到键合温度280℃、键合时间30 s、退火温度260℃和退火时间10 min的最佳工艺条件。最后重点分析了多层堆叠Cu/Sn键合技术,采用能谱仪(EDS)分析确定键合层中Cu和Sn的原子数比例。研究了Cu层和Sn层厚度对堆叠键合过程的影响,获得了10层芯片堆叠键合样品。采用拉力测试仪和四探针法分别测试了键合样品的力学和电学性能,同时进行了高温测试和高温高湿测试,结果表明键合质量满足含TSV结构的三维封装要求。
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| 关 键 词： | 三维封装 硅通孔(TSV) Cu/Sn低温键合 多层堆叠 系统封装 |
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