一种正电控制低温漂单片数控衰减器 |
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引用本文: | 韩玉鹏,赵国庆,赵瑞华,王凯,甄建宇.一种正电控制低温漂单片数控衰减器[J].半导体技术,2014(1). |
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作者姓名: | 韩玉鹏 赵国庆 赵瑞华 王凯 甄建宇 |
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作者单位: | 西安电子科技大学电子工程学院;中国电子科技集团公司第十三研究所;电子科技大学物理电子学院; |
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摘 要: | 数控衰减器在宽频带内具有高的衰减精度、优良的电压驻波比和大的衰减动态范围,因而得到了推广和应用。正电控制、低温漂6 bit数控衰减器,各衰减位均采用具有低温漂特性的桥T型结构,并通过对衰减结构的合理构建,在不采用电平转换驱动器的情况下,成功实现正电控制,面积得到进一步缩小。对电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片,测试结果表明,在2.4~8 GHz频带内,参考态插入损耗小于4.0 dB;衰减精度小于±1 dB@31.5 dB;回波损耗小于-15 dB;衰减量在高温或低温时较常温时的偏差控制在0.3 dB以内;各衰减位为0.5,1,2,4,8和16 dB,最大衰减量为31.5 dB。单片数控衰减器芯片最终尺寸为2.9 mm×1.3 mm,控制电压为0 V和5 V。
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关 键 词: | 低温漂 数控衰减器 正电控制 单片微波集成电路(MMIC) 砷化镓 |
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