| 基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响 |
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| 引用本文： | 周星宝,周守利.基区As组分缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP DHBT热电性能的影响[J].半导体技术,2014(2). |
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| 作者姓名： | 周星宝 周守利 |
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| 作者单位： | 浙江工业大学信息工程学院;中国科学院国家空间科学中心; |
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| 基金项目： | 浙江省自然科学基金资助项目(LY12F04003);现代通信与网络系统科技创新自主设计项目(2010R50011-13) |
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| 摘 要： | 基于非等温能量平衡传输模型,利用SILVACO/ATLAS数值计算软件,研究了四种不同基区As组分的缓变对InP/InGaP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)热电特性的影响。结果表明,As组分缓变的引入改善了器件的直流增益和特征频率,但同时器件内部温度也随之升高。直流增益和温度增加的速率随As组分缓变范围增大而增大,特征频率增加的速率随As组分缓变范围的增加而迅速减小。基区As组分为0.57至0.45由发射区侧到集电区侧线性分布的器件具有较高的增益和特征频率及较低的器件内部温度,增益、特征频率与器件内部温度得到了优化。
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| 关 键 词： | InP/InGaP/GaAsSb/InP 双异质结双极晶体管(DHBT) 缓变发射结 缓变基区 热电特性 |
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