| CdZnTe晶体生长中掺 In量对晶体电学性能的影响 |
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| 引用本文： | 袁铮,桑文斌,钱永彪,刘洪涛,闵嘉华,滕建勇.CdZnTe晶体生长中掺 In量对晶体电学性能的影响[J].无机材料学报,2008,23(1):195-198. |
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| 作者姓名： | 袁铮 桑文斌 钱永彪 刘洪涛 闵嘉华 滕建勇 |
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| 作者单位： | 上海大学,材料科学与工程学院,上海,200072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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上海市重点学科建设项目 |
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| 摘 要： | 通过在富Te环境下生长In掺杂CdZnTe晶体,实验研究了不同掺In量对晶体电学性能的影响,重点讨论了不同掺In量与晶体电阻率、载流子浓度及迁移率之间的关系.并对CdZnTe晶体中In掺杂的补偿机理进行了分析探讨.结果表明,当In掺杂量为5×1017cm-3时,得到了电阻率达1.89×1010Ω·cm的高阻CdZnTe晶体.
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| 关 键 词： | 核探测器 CdZnTe In掺杂 电学性能 CdZnTe 晶体生长 电学性能 影响 Crystal Electrical Properties Concentration Dopant 高阻 体电阻率 掺杂量 结果 分析 机理 补偿 关系 迁移率 载流子浓度 重点 研究 |
| 文章编号： | 1000-324X（2008）01-0195-04 |
| 收稿时间： | 2007-01-14 |
| 修稿时间： | 2007-02-05 |
Effects of In Dopant Concentration on the Electrical Properties of CdZnTe Crystal |
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| YUAN Zheng,SANG Wen-Bin,QIAN Yong-Biao,LIU Hong-Tao,MIN Jia-Hua,TENG Jian-Yong.Effects of In Dopant Concentration on the Electrical Properties of CdZnTe Crystal[J].Journal of Inorganic Materials,2008,23(1):195-198. |
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| Authors: | YUAN Zheng SANG Wen-Bin QIAN Yong-Biao LIU Hong-Tao MIN Jia-Hua TENG Jian-Yong |
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| Affiliation: | (SchoolofMaterialsScienceandEngineering,ShanghaiUniversity,Shanghai200072,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nuclear detector CdZnTe In doping electrical properties |
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