| ECR－PECVD制备Si_3N_4薄膜的特性及其应用的研究 |
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| 引用本文： | 任兆杏,陈俊芳,丁振峰,史义才,宋银根,王道修.ECR－PECVD制备Si_3N_4薄膜的特性及其应用的研究[J].电子学报,1996(2). |
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| 作者姓名： | 任兆杏 陈俊芳 丁振峰 史义才 宋银根 王道修 |
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| 作者单位： | 中国科学院等离子体物理研究所，中国华晶电子集团公司 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,中科院重点研究课题 |
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| 摘 要： | 本文利用ＥＣＲ－ＰＥＣＶＤ技术在不同沉积温度下制备了Ｓｉ３Ｎ４薄膜，利用Ｓｉ３Ｎ４薄膜的透射光强度曲线计算了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率和膜厚，计算结果与实测值符合较好。结果表明，随着沉积温度的提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜的折射率增大，致密性提高，Ｓｉ３Ｎ４薄膜厚度在６０ｍｍ直径范围内不均匀度小于５％。测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的显微硬度。利用荧光分光光度计测定了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的光致发光效应。初步进行了Ｓｉ３Ｎ４薄膜的超高频大功率晶体管器件中作为钝化膜的应用研究。
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| 关 键 词： | ECR－PECVD，Si_3N_4钝化膜，光学特性 |
Study on the Properties and Application of the Si_3N_4 Thin Film Prepared by ECR-PECVD |
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| Ren Zhaoxing,Chen Junfang,Ding Zhenfeng,Shi Yicai.Study on the Properties and Application of the Si_3N_4 Thin Film Prepared by ECR-PECVD[J].Acta Electronica Sinica,1996(2). |
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| Authors: | Ren Zhaoxing Chen Junfang Ding Zhenfeng Shi Yicai |
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| Keywords: | ECR-PECVD Si_3N_4 passivation film Optical properties |
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