| 常压化学气相沉积法氮氧化硅薄膜性能的研究 |
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| 引用本文： | 孟祥森,马青松,葛曼珍,杨辉. 常压化学气相沉积法氮氧化硅薄膜性能的研究[J]. 硅酸盐通报, 2000, 19(2): 19-21 |
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| 作者姓名： | 孟祥森 马青松 葛曼珍 杨辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学材料系硅材料科学国家重点实验室,杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，浙江省151人才工程资助 |
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| 摘 要： | 我们用常压化学气相沉积法(APCVD),以SiH4和NH3为先驱体,在较低的温度(＜700℃)下制备氮氧化硅(Si-O-N)薄膜,并对其性能进行了研究.研究结果表明氮氧化硅薄膜能使改性后平板玻璃硬度提高40%,并具有良好的抗高温氧化性,这种薄膜在材料表面改性领域有着广阔的应用前景.
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| 关 键 词： | 氮氧化硅 APCVD 硬度 高温氧化性 表面改性, |
Properties of Silicon Oxynitride Thin Films Prepared by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition |
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| Meng Xiangsen,Ma Qingsong,Ge Manzhen,Yang Hui. Properties of Silicon Oxynitride Thin Films Prepared by Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2000, 19(2): 19-21 |
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| Authors: | Meng Xiangsen Ma Qingsong Ge Manzhen Yang Hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Silicon oxynitride APVCD hardness oxidation at high temperature surface modification |
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