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| 科锐开发出两项新型GaN RF MMIC工艺技术 | |
| 引用本文： | 吴琪乐.科锐开发出两项新型GaN RF MMIC工艺技术[J].半导体信息,2012(5). |
| 作者姓名： | 吴琪乐 |
| 摘 要： | 正科锐公司宣布推出两项新型GaN工艺:0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度,与传统技术相比,能够实现更小尺寸裸芯片和更紧凑、更高效率放大器。两项新技术均与科锐业经验证的GaN单片式微波集成电路(MMIC)技术相兼容,可应用在具有全套无源电路元件和非线性模型的直径为 |
| 关 键 词： | 工艺技术 工作电压 无线射频 新工艺 功率密度 高效率 场效应晶体管 雷达系统 通讯 微米 |
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