| H2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响 |
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| 引用本文： | 王辉,宋航,金亿鑫,蒋红,缪国庆.H2稀释度对HFCVD法沉积SiC薄膜结晶度的影响[J].长春理工大学学报,2005,28(1):90-92. |
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| 作者姓名： | 王辉 宋航 金亿鑫 蒋红 缪国庆 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室，长春130033／／中国科学院研究生院，北京100039 [2]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室，长春130033 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.通过提高H2稀释度,使得SiC薄膜的质量得到了改善.选取高H2稀释度,利用原子氢在成膜过程中的刻蚀作用稳定结晶相,可在较低的衬底温度下,沿Si(102)择优取向异质生长出晶态SiC薄膜.
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| 关 键 词： | 碳化硅 H2稀释度 热丝CVD 稀释度 HFCVD 沉积 薄膜 结晶度 影响 dilution ratio thin films 异质生长 择优取向 衬底温度 结晶相 稳定 作用 刻蚀 成膜过程 原子氢 利用 选取 改善 |
| 文章编号： | 1672-9870(2005)01-0090-03 |
| 修稿时间： | 2004年10月20日 |
H2 dilution ratio (H2/ H2+CH4+SiC) determining crystallinity in SiC thin films by HFCVD |
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| WANG Hui,Song Hang,Jin Yixin,JIANG Hong,MIAO Guoqing.H2 dilution ratio (H2/ H2+CH4+SiC) determining crystallinity in SiC thin films by HFCVD[J].Journal of Changchun University of Science and Technology,2005,28(1):90-92. |
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| Authors: | WANG Hui Song Hang Jin Yixin JIANG Hong MIAO Guoqing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nanocrustalline SiC H_2 dilution ratio (H_2/ H_2+CH_4+SiH_4) HFCVD |
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