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| PECVD氮化硅膜的微电子学特性 | |
| 引用本文： | 肖文.PECVD氮化硅膜的微电子学特性[J].半导体技术,1985(5). |
| 作者姓名： | 肖文 |
| 作者单位： | 第24研究所 |
| 摘 要： | 利用电子极化的劳伦茨-劳伦兹关系研究了PECVD氮化硅膜的组分(Si/N).生长条件的变化导致薄膜的Si/N比率千差万别.采取C-V测试和高温准静态离子电流测试对不同Si/N比率的氮化硅膜的微电子学特性进行了探讨. |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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