| Al掺杂ZnO薄膜的射频磁控溅射工艺与光电性能研究 |
| |
| 引用本文： | 刘心宇,江民红,周秀娟,成钧,王仲民. Al掺杂ZnO薄膜的射频磁控溅射工艺与光电性能研究[J]. 材料工程, 2008, 0(10) |
| |
| 作者姓名： | 刘心宇 江民红 周秀娟 成钧 王仲民 |
| |
| 作者单位： | 1. 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004;中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083
2. 桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,广西,桂林,541004 |
| |
| 基金项目： | 桂林电子科技大学学科软环境建设项目 |
| |
| 摘 要： | 用射频磁控溅射法制备Al掺杂ZnO(ZAO)薄膜,研究溅射与真空退火工艺对ZAO薄膜的显微结构及光电性能的影响.采用X射线衍射(XRD)对ZAO薄膜的显微结构进行了测试分析,用四探针测试仪、紫外-可见分光光度计对ZAO薄膜的光电性能进行了测试分析.结果表明:随溅射时间的增加,样品由非晶态向晶态转变,同时也出现(002)择优取向强弱的变化.退火提高了溅射时间较长的薄膜的结晶质量.溅射时间的增加使溅射态ZAO薄膜的光学带隙变窄,但退火处理则使光学禁带宽度增大.溅射时间的增加以及退火处理均使薄膜的透光率稍有下降,但所有ZAO薄膜的透光率均在90%.以上.薄膜的电阻率随溅射时间的增加先降低.后稍有回升.退火使薄膜的电阻率显著降低,当溅射时间为60min时退火后薄膜的电阻率达到最低值,为9.4 ×10-4Ω·cm,其方块电阻低至18.80Ωl/□.
|
| 关 键 词： | ZAO薄膜 射频磁控溅射 溅射时间 退火 光电性能 |
RF Magnetron Sputtering Process and Photoelectric Property of A1 Doped ZnO Films |
| |
| LIU Xin-yu,JIANG Min-hong,ZHOU Xiu-juan,CHEN Jun,WANG Zhong-min. RF Magnetron Sputtering Process and Photoelectric Property of A1 Doped ZnO Films[J]. Journal of Materials Engineering, 2008, 0(10) |
| |
| Authors: | LIU Xin-yu JIANG Min-hong ZHOU Xiu-juan CHEN Jun WANG Zhong-min |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
