| 磁控溅射ZnO薄膜的退火热力学行为研究 |
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| 引用本文： | 刘志文,付伟佳,刘明,谷建峰,马春雨,张庆瑜. 磁控溅射ZnO薄膜的退火热力学行为研究[J]. 电子显微学报, 2007, 26(6): 541-547 |
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| 作者姓名： | 刘志文 付伟佳 刘明 谷建峰 马春雨 张庆瑜 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024 |
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| 摘 要： | 本文利用原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射等分析手段研究了反应射频磁控溅射截然不同的阶段,其临界转变温度在790 ℃附近.进一步分析表明,决定低温退火的晶粒长大机制为Zn填隙原子扩散机制,而决定高温退火时的晶粒长大机制为O空位扩散机制.界面分析结果显示:在临界转变温度以下,ZnO薄膜与基体Si之间基本不发生界面反应;在高温退火过程中,ZnO薄膜与基体Si之间的界面反应主要以氧化后的Si表面层向ZnO扩散的方式进行,并导致了薄膜应力的迅速增加,而界面反应开始之前的薄膜应力的变化,则是由于晶粒合并所引起的.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 退火行为 界面 扩散机制 |
| 文章编号： | 1000-6281（2007）06-0541-07 |
| 收稿时间： | 2007-06-28 |
| 修稿时间： | 2007-07-12 |
Annealing behavior of ZnO films grown on Si substrate by reactive radio-frequency magnetron sputtering |
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| LIU Zi-wen,FU Wei-jia,LIU Ming,GU Jian-feng,MA Chun-yu,ZHANG Qing-yu. Annealing behavior of ZnO films grown on Si substrate by reactive radio-frequency magnetron sputtering[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2007, 26(6): 541-547 |
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| Authors: | LIU Zi-wen FU Wei-jia LIU Ming GU Jian-feng MA Chun-yu ZHANG Qing-yu |
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| Keywords: | ZnO film annealing behavior interface diffusion mechanism |
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