| 半导体PN结器件瞬态行为一维模拟 |
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| 引用本文： | 余稳 聂建军. 半导体PN结器件瞬态行为一维模拟[J]. 吉林化工学院学报, 1999, 16(3): 49-52 |
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| 作者姓名： | 余稳 聂建军 |
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| 作者单位： | 常德师范学院电磁理论研究所!湖南常德415000 |
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| 摘 要： | 用时域有限差分（ Ｆ Ｄ Ｔ Ｄ） 方法对 Ｐ Ｎ 结器件所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组进行了数值计算，得到了半导体 Ｐ Ｎ 结器件的瞬态行为的一维模拟．
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| 关 键 词： | 半导体器件 时域有限差分 瞬态模拟 |
A numerical one-dimensional modelling of the p-n junction devices |
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| YU Wen NIE Jian-jun. A numerical one-dimensional modelling of the p-n junction devices[J]. Journal of Jilin Institute of Chemical Technology, 1999, 16(3): 49-52 |
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| Authors: | YU Wen NIE Jian-jun |
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| Abstract: | umerical modelling was carried out for the P-N junction devices by means of the FDTD method.The one-dimensional behavior of the P-N junction devices was obtained. |
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| Keywords: | semiconductor devices FDTD transient modelling |
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