| MOSFET的大信号动态集总模型及射频电路模拟 |
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| 引用本文： | 陈宰曼,来金梅,任俊彦,许俊,Omar Wing.MOSFET的大信号动态集总模型及射频电路模拟[J].固体电子学研究与进展,2004,24(1):44-49. |
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| 作者姓名： | 陈宰曼 来金梅 任俊彦 许俊 Omar Wing |
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| 作者单位： | 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海,200433 |
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| 基金项目： | 上海市 AM基金“CMOS RF IC设计方法及技术研究”项目资助(编号 :0 0 0 2 ) |
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| 摘 要： | 针对 RF电路模拟的需要 ,在文中提出了一个基于表面势的 MOSFET大信号动态集总模型。这个模型是由 MOSFET的 PDE模型简化推导而来。它不仅比传统的模型能更精确地描述晶体管在高频大信号情况下的伏 -安特性 ,而且比 PDE模型易于求解 ,从而大大提高了电路模拟的速度。通过模拟几个具体的 RF电路 ,将这个模型与 PDE模型作了比较 ,结果表明两者吻合得很好。
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| 关 键 词： | 金属氧化物半导体场效应晶体管 偏微分方程模型 射频电路模拟 表面势 大信号动态集总模型 |
| 文章编号： | 1000-3819(2004)01-044-06 |
| 修稿时间： | 2002年12月23 |
A Lumped Large-signal Dynamic Model of the MOSFET for RF Circuit Simulation |
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| CHEN Zaiman,LAI Jinmei,REN Junyan,XU Jun,OMAR Wing.A Lumped Large-signal Dynamic Model of the MOSFET for RF Circuit Simulation[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2004,24(1):44-49. |
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| Authors: | CHEN Zaiman LAI Jinmei REN Junyan XU Jun OMAR Wing |
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| Abstract: | In this paper, we present a lumped,large-signal,dynamic model of the MOSFET for RF circuit simulation that is derived from a partial differential equation model of the MOS transistor.The new model is more accurate than those traditional models and less complicated than the PDE model.We test the model against the PDE model in RF circuits simulation and the two sets of results agree well. |
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| Keywords: | MOSFET PDE model RF circuit simulation surface potential lumped large-signal dynamic model |
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