| 应用α源评估静态存储器的软错误 |
| |
| 引用本文： | 贺朝会,杨秀培,张卫卫,褚俊,任学明,夏春梅,王宏全,肖江波,李晓林. 应用α源评估静态存储器的软错误[J]. 原子能科学技术, 2006, 40(Z1): 192-195. DOI: 10.7538/yzk.2006.40.suppl.0192 |
| |
| 作者姓名： | 贺朝会 杨秀培 张卫卫 褚俊 任学明 夏春梅 王宏全 肖江波 李晓林 |
| |
| 作者单位： | 1. 西安交通大学,能源与动力工程学院,核能系,陕西,西安,710049
2. 华为技术有限公司,广东,深圳,518129 |
| |
| 基金项目： | 教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
| |
| 摘 要： | 存储器的软错误直接关系到产品的可靠性,为比较3种器件的抗软错误能力,实验测量了3种静态存储器(SRAM)的单粒子翻转错误数,计算了单粒子翻转截面和失效率.从单粒子翻转截面角度讲,A166M器件抗α粒子的能力最好,其次为B166M,最差是B200M.从失效率的角度讲,B166M的平均失效率比B200M的小,且两者都比A166M的小.
|
| 关 键 词： | α源 静态存储器 软错误 |
| 文章编号： | 1000-6931(2006)S0-0192-04 |
| 收稿时间： | 2006-05-31 |
| 修稿时间： | 2006-05-31 |
Soft Error Evaluation in SRAM Using α Sources |
| |
| HE Chao-hui,YANG Xiu-pei,ZHANG Wei-wei,CHU Jun,REN Xue-ming,XIA Chun-mei,WANG Hong-quan,XIAO Jiang-bo,LI Xiao-lin. Soft Error Evaluation in SRAM Using α Sources[J]. Atomic Energy Science and Technology, 2006, 40(Z1): 192-195. DOI: 10.7538/yzk.2006.40.suppl.0192 |
| |
| Authors: | HE Chao-hui YANG Xiu-pei ZHANG Wei-wei CHU Jun REN Xue-ming XIA Chun-mei WANG Hong-quan XIAO Jiang-bo LI Xiao-lin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《原子能科学技术》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《原子能科学技术》下载全文 |
|
