高芯片偏振消光比铌酸锂多功能集成光学器件 |
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引用本文: | 华勇,舒平,朱学军,田自君. 高芯片偏振消光比铌酸锂多功能集成光学器件[J]. 半导体光电, 2014, 35(2): 181-183 |
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作者姓名: | 华勇 舒平 朱学军 田自君 |
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作者单位: | 重庆光电技术研究所, 重庆 400060;重庆光电技术研究所, 重庆 400060;重庆光电技术研究所, 重庆 400060;重庆光电技术研究所, 重庆 400060 |
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摘 要: | 分析了铌酸锂多功能集成光学器件的偏振消光机理,设计和制作了高芯片偏振消光比的铌酸锂多功能集成光学器件。器件采用切断部分输入直波导后在切断端面选择性镀阻光膜的结构以截断射入衬底的辐射光,与芯片耦合后实现了高于85dB的芯片偏振消光比。制作的器件插入损耗小于3.5dB,分光比为48/52~52/48,半波电压Vπ小于3.5V,尾纤偏振串音小于-33dB;在-55~+85℃全温范围内,损耗变化量小于0.2dB,分光比变化小于1%,尾纤偏振串音小于-27dB,能够满足工程化应用需要。
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关 键 词: | 集成光学 芯片偏振消光比 光波导 光纤陀螺 铌酸锂 |
收稿时间: | 2013-09-05 |
LiNbO3 Multi-function Integrated Optics Chip with high Polarization Extinction Ratio |
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Abstract: | |
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Keywords: | integrated optics polarization extinction ratio waveguide fiber optical gyro LiNbO3 |
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