| NiO敏感陶瓷的缺陷化学与导电机理 |
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| 引用本文： | 张中太,周志刚,河本邦仁,柳田博明. NiO敏感陶瓷的缺陷化学与导电机理[J]. 无机材料学报, 1986, 0(4) |
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| 作者姓名： | 张中太 周志刚 河本邦仁 柳田博明 |
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| 作者单位： | 清华大学化学工程系 北京(张中太，周志刚)，东京大学工学部工业化学科 日本(河本邦仁)，东京大学工学部工业化学科 日本(柳田博明) |
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| 摘 要： | 本文对 NiO 单晶及不掺杂和掺 Li,Al 的 NiO 陶瓷的高温(800～1400℃)电导率和温差电势进行了测量。在一定温度下,NiO 单晶的电导率与 P_(O_2)(?)成比例,不掺杂和掺 Al 的 NiO 陶瓷的电导率与 P_(O_2)(?)成比例,高温主缺陷为V″_(N(?)O)掺0.1mol%Li_2O 的 NiO 陶瓷的电导率,在低氧分压下,不随温度和氧分压而变化,由此计算出空穴迁移率μ为0.43cm~2/Vs。掺 Al 的 NiO 陶瓷在 P_(O_2)=10~5Pa,T>1200℃下的电导表观活化能为102.6kJ/mol。Ni_(1-(?))O 的非化学计量偏离量δ=7.75×10~(-2)exp(-16200/RT)。试验结果表明,采用电子空穴的宽能带传导机理比小极化子跃迁传导机理能较好地阐明塞贝克(温差电势)系数的温度关系。
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| 关 键 词： | 氧化镍 缺陷化学 电导率 温差电势系数 空穴迁移率 非化学计量比 活化能 |
Defect Chemistry and Electrical Conduction Mechanism of Sensitive Ceramics NiO |
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| Zhang Zhongtai Zhou Zhigang. Defect Chemistry and Electrical Conduction Mechanism of Sensitive Ceramics NiO[J]. Journal of Inorganic Materials, 1986, 0(4) |
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| Authors: | Zhang Zhongtai Zhou Zhigang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | NiO Defect chemistry Electrical conductivity Seebeck coefficient Hole mobility Nonstoichiometry Activation energy |
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