LPE生长有源层厚(1.5～5)×10~(-6)cm InGaAsP异质结构

据报导,苏联科学院伊奥夫物理技术研究所采用改进液相外延(LPE)技术,制作出超薄有源区的InGaAsP激光异质结构,有源层厚达几百埃,异质结区不超过100A。该所研究人员认为,虽然分子束外延和金属有机汽相淀积比液相外延有许多优点,但设备昂贵,工艺复杂,对源材料纯度要求高。并且,初期采用这些方法制作超薄有源区的InGaAsP/InP红外激光器的成效暂时甚少。实践证明,对于制作低阈值、高效率的异质结构激光器,液相外延方法远未过时。