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InN纳米线的制备与表征
引用本文:黄思雅,李和平,欧刚,成婧,潘伟.InN纳米线的制备与表征[J].稀有金属材料与工程,2013(Z1):33-36.
作者姓名:黄思雅  李和平  欧刚  成婧  潘伟
作者单位:清华大学 新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50872063)
摘    要:采用静电纺丝法制备出了高长径比的立方相In2O3纳米线。将In2O3纳米线置于NH3气流中进行原位氮化反应,合成得到了高质量的InN纳米线,转化率高达100%。通过调节氮化反应的温度及时间,系统研究了制备InN纳米线的最佳合成工艺参数。利用这种方法得到的氮化铟纳米线具有长径比高、直径分布单一、纯度高以及产量大的特点,为今后InN纳米器件的大规模制备和应用提供了一个有效的途径。

关 键 词:InN  静电纺丝  纳米线
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