TEOS减压CVD膜形成中的加水效果 |
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作者姓名: | 反田哲史 益群 |
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摘 要: | 一、前言近年来,在各种各样的股形成工序中,底摸台阶一直在逐渐增大。例如,在DRAM中,随着微细化而作为电容电极的存储结(SN),相对于社底表面方向(横向)被缩小,但是,为了确保静电电容,在与衬底垂直方向(纵向)上必须形成三维的SN而借以补偿电容面积,作为三维式的SN形状,目前虽然有深为道式和圆筒式等等,但无论那一种,随着微细化的进展,其台阶将变得越来越陡峭。在川电极工序之前的层间绝缘膜很成过程中,必须有使台阶平坦化的技术,但对电容器膜等,在台阶的某底膜处如何能够均匀地进行成膜(亦即保形),这是一个技术…
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关 键 词: | LSI 集成电路 膜形成 化学汽相沉积 水 |
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