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高性能低阈值高温无致冷1.3μm AlGaInAs量子阱激光器
作者姓名:郑鹏  王任凡  
作者单位:[1]华中科技大学光电子工程系,湖北武汉430074 [2]武汉电信器件公司,湖北武汉430074
摘    要:讨论了影响激光器高温特性的主要因素,提出了在1.3μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器中采用倒台脊波导(RM-RWG)结构可以改善激光器高温无致冷的工作特性,研制出了RM-RWG结构的1.3μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器,其阈值是流为6mA,特征温度达到95K(25℃-85℃),这些结果为目前文献报道的最好水平。

关 键 词:半导体激光器  AlGaInAs  量子阱激光器  高温无致冷
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