高性能低阈值高温无致冷1.3μm AlGaInAs量子阱激光器 |
| |
作者姓名: | 郑鹏 王任凡 等 |
| |
作者单位: | [1]华中科技大学光电子工程系,湖北武汉430074 [2]武汉电信器件公司,湖北武汉430074 |
| |
摘 要: | 讨论了影响激光器高温特性的主要因素,提出了在1.3μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器中采用倒台脊波导(RM-RWG)结构可以改善激光器高温无致冷的工作特性,研制出了RM-RWG结构的1.3μm高温无致冷AlGaInAs应变量子阱激光器,其阈值是流为6mA,特征温度达到95K(25℃-85℃),这些结果为目前文献报道的最好水平。
|
关 键 词: | 半导体激光器 AlGaInAs 量子阱激光器 高温无致冷 |
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录! |
|