掺铬砷化镓汽相外延 |
| |
引用本文: | Yoji Kamo,李中南.掺铬砷化镓汽相外延[J].微纳电子技术,1980(4). |
| |
作者姓名: | Yoji Kamo 李中南 |
| |
摘 要: | 使用 Ga/As Cl_3H_2系统,以 CrO_2Cl_2作掺杂剂生长半绝缘掺铬GaAs 外延层,电阻率的数量级可达10~8欧姆·厘米。这表明铬起着深能级受主的作用,其激活能为0.57电子伏,约可补偿浓度为10~(16)厘米~(-3)的浅能级施主。载流子浓度为1.2×10~(17)厘米~(-3)、迁移率为5200厘米~2/伏·秒的掺硫 n 型层可在一次试验中连续生长在半绝缘外延层上。边界层陡峭适用于场效应晶体管。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|