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网络状氮化硼纳米棒的生长研究
引用本文:卢晓敏,汪雷,杨德仁. 网络状氮化硼纳米棒的生长研究[J]. 真空科学与技术学报, 2004, 24(6): 445-447
作者姓名:卢晓敏  汪雷  杨德仁
作者单位:浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027
摘    要:利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition,PECVD)法在单晶硅片上生长了氮化硼(BN)材料.扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscopy,SEM)图,能量分散谱(Energy Dispersive Spectrum,EDS)和傅里叶红外光谱(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)表明,在一定的生长条件下BN薄膜呈现由纳米棒搭构而成的网络状结构.纳米棒的直径在几十到几百纳米范围,长度为微米量级.对这种特殊形貌的生长机理进行了探讨.

关 键 词:氮化硼  纳米棒
文章编号:1672-7126(2004)06-0445-03
修稿时间:2004-01-30

Growth of Net-Shaped Boron Nitride Nanorods
Lu Xiaomin,Wang Lei and Yang Deren. Growth of Net-Shaped Boron Nitride Nanorods[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2004, 24(6): 445-447
Authors:Lu Xiaomin  Wang Lei  Yang Deren
Affiliation:Lu Xiaomin,Wang Lei and Yang Deren*
Abstract:
Keywords:PECVD
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