| 平面Si/PCBM与纳米Si/PCBM有机-无机杂化异质结的对比研究（英文） |
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| 引用本文： | 刘维峰,边继明,骆瑛琳,乔建坤,赵春一.平面Si/PCBM与纳米Si/PCBM有机-无机杂化异质结的对比研究（英文）[J].无机材料学报,2015(2):214-218. |
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| 作者姓名： | 刘维峰 边继明 骆瑛琳 乔建坤 赵春一 |
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| 作者单位： | 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室物理与光电工程学院;中国科学院特种无机涂层重点实验室 |
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| 基金项目： | Natural Science Foundation of Liaoning Province(2013020095);Fundamental Research Funds for the Central Universities(DUT13LK02,DUT13LAB12) |
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| 摘 要： | 本研究采用平面硅与纳米硅分别与旋涂法生长的6,6]-苯基C61-丁酸甲酯(PCBM)形成有机–无机杂化异质结,对比研究了两种异质结界面电学特性的差异。结果显示,平面Si/PCBM和纳米Si/PCBM两种异质结都表现出明显的整流特性,但相对于平面Si/PCBM异质结,纳米Si/PCBM异质结有较大的导通电压和较小的电流密度。为了深入研究导致这种差异的相关物理机制,通过阻抗谱(IS)表征技术进一步研究了两种异质结因界面变化而产生的电阻、电容的变化趋势。阻抗测试分析表明,Si/PCBM异质结界面存在的大量缺陷致使寄生效应进一步增大,影响了器件中电荷的输运。
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| 关 键 词： | 无机–有机异质结 纳米Si/PCBM 阻抗谱 瞬态光伏谱 |
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