| 溶胶-凝胶提拉法制备ITO透明导电膜 |
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| 引用本文： | 陈世柱,李晶.溶胶-凝胶提拉法制备ITO透明导电膜[J].中国有色金属学报,2005,15(1):94-99. |
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| 作者姓名： | 陈世柱 李晶 |
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| 作者单位： | 中南大学,材料科学与工程学院,长沙,410083 |
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| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,利用自制的提拉实验设备于石英玻璃片上制得了ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜,并就薄膜的物相结构、微观组织、导电性能及透光性等进行了研究分析.结果表明:薄膜的方电阻和透光性与提拉速度、提拉次数、热处理温度、冷却方式及Sn原子掺杂量等因素有关.当Sn原子掺杂量为12.5%(质量分数)、提拉速度为80 mm/min、经5次提拉且每次提拉后经550℃热处理(炉外空冷)而最终制得的ITO薄膜的方电阻为110 Ω/□,透光率可达90%以上.用溶胶-凝胶法制备ITO薄膜具有工艺简单可控,成本较低且宜于大面积成膜等优点.
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| 关 键 词： | sol-gel法 提拉 ITO膜 透明 导电 |
| 文章编号： | 1004-0609(2005)01-0094-06 |
| 修稿时间： | 2004年4月9日 |
Sol-gel dip-coating technique for preparation of ITO thin film |
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| CHEN Shi-zhu,LI Jing.Sol-gel dip-coating technique for preparation of ITO thin film[J].The Chinese Journal of Nonferrous Metals,2005,15(1):94-99. |
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| Authors: | CHEN Shi-zhu LI Jing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sol-gel technique dip-coating indium tin oxide film limpidity conducting electricity |
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