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| Vishay Siliconix的新款8V P沟道TrenchFET~功率MOSFET创业内最低导通电阻纪录 | |
| 摘 要： | 器件在4.5 V下导通电阻仅为34mΩ,具有1.6mm×1.6mm的占位面积和不到0.8mm的高度,可在1.2V的电压下导通,适用于更低电压的手持式电子产品 |
| 关 键 词： | 导通电阻 功率 沟道器件 新款 手持设备 低电压 占位 总线电压 面积 高度 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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