首页
|
本学科首页
官方微博
|
高级检索
全部学科
医药、卫生
生物科学
工业技术
交通运输
航空、航天
环境科学、安全科学
自然科学总论
数理科学和化学
天文学、地球科学
农业科学
哲学、宗教
社会科学总论
政治、法律
军事
经济
历史、地理
语言、文字
文学
艺术
文化、科学、教育、体育
马列毛邓
全部专业
中文标题
英文标题
中文关键词
英文关键词
中文摘要
英文摘要
作者中文名
作者英文名
单位中文名
单位英文名
基金中文名
基金英文名
杂志中文名
杂志英文名
栏目中文名
栏目英文名
DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
Vishay Siliconix的新款8V P沟道TrenchFET~功率MOSFET创业内最低导通电阻纪录
摘 要:
器件在4.5 V下导通电阻仅为34mΩ,具有1.6mm×1.6mm的占位面积和不到0.8mm的高度,可在1.2V的电压下导通,适用于更低电压的手持式电子产品
关 键 词:
导通电阻
功率
沟道器件
新款
手持设备
低电压
占位
总线电压
面积
高度
本文献已被
CNKI
等数据库收录!
设为首页
|
免责声明
|
关于勤云
|
加入收藏
Copyright
©
北京勤云科技发展有限公司
京ICP备09084417号