| 氧等离子体刻蚀对石墨烯性能的影响 |
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| 引用本文： | 魏芹芹,何建廷. 氧等离子体刻蚀对石墨烯性能的影响[J]. 功能材料, 2014, 0(24) |
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| 作者姓名： | 魏芹芹 何建廷 |
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| 作者单位： | 山东理工大学 电气与电子工程学院,山东 淄博,255049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 对机械剥离在SiO2表面的多层石墨烯进行氧等离子体刻蚀,通过拉曼光谱、原子力显微镜和电学性能表征来研究氧等离子体轰击对石墨烯特性的影响。结果表明氧等离子体轰击会在表层石墨烯中引入大量缺陷,大量缺陷的存在又会诱导对石墨烯的进一步刻蚀,从而实现逐层刻蚀石墨烯。另外,氧等离子体轰击的过程在做了金属电极的石墨烯中引入金属颗粒等其它物质,这几方面的原因最终导致在氧等离子体刻蚀石墨烯的过程中石墨烯的两端电导呈现近似线性的减小,石墨烯出现n型掺杂效应。
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| 关 键 词： | 石墨烯 氧等离子体轰击 缺陷 电学特性 拉曼光谱 |
Investigation of the influence of oxygen-plasma etching on graphene |
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| WEI Qin-qin,HE Jian-ting. Investigation of the influence of oxygen-plasma etching on graphene[J]. Journal of Functional Materials, 2014, 0(24) |
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| Authors: | WEI Qin-qin HE Jian-ting |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | graphene oxygen-plasma etching defects electrical properties Raman spectra |
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