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| 载流子输运性能对CdZnTe晶体脉冲X射线响应特性的影响 | |
| 引用本文： | 徐亚东,王昌盛,谷亚旭,郭榕榕,苏春磊,介万奇. 载流子输运性能对CdZnTe晶体脉冲X射线响应特性的影响[J]. 功能材料, 2014, 0(24) |
| 作者姓名： | 徐亚东 王昌盛 谷亚旭 郭榕榕 苏春磊 介万奇 |
| 作者单位： | 1. 西北工业大学 凝固技术国家重点实验室，西安 710072; 南京大学 固体微结构物理国家重点实验室，南京 210093 2. 西北工业大学 凝固技术国家重点实验室,西安,710072 3. 西北核技术研究所,西安,710024 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目，国家自然科学基金资助项目，高等学校博士学科点专项科研基金资助项目 |
| 摘 要： | 采用生长态高电阻CdZnTe晶体制备出平面电极探测器,室温下测试了其在脉冲X射线作用下的诱导电流曲线。分析了脉冲电流的上升时间以及脉冲衰减过程,发现脉冲上升时间约为2 ns,且不受外加偏压影响,而脉冲衰减过程可分为3阶段。利用α粒子结合飞行时间技术研究了CdZnTe晶体的载流子传输特性,分析了结构缺陷的散射和俘获-佉俘获对载流子传输特性的影响。同时对比了不同厚度的CdZnTe探测器在不同电压下对脉冲X射线的响应特性。结果表明,当外加电场强度增加时,诱导脉冲电流曲线的半峰宽呈指数衰减,但当探测器厚度大于0.2 mm时,随着探测器厚度的增加变化不明显。可能是由于材料中结构缺陷的浓度增加,对载流子的俘获和散射作用加剧,严重影响了载流子的传输过程和复合时间。 |
| 关 键 词： | CdZnTe 时间响应 脉冲X射线 载流子 俘获中心 |
Effects of charge carrier behaviors on the time response of CdZnTe crystals irradiated by pulsed X-rays |
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| XU Ya-dong,WANG Chang-sheng,GU Ya-xu,GUO Rong-rong,SU Chun-lei,JIE Wan-qi. Effects of charge carrier behaviors on the time response of CdZnTe crystals irradiated by pulsed X-rays[J]. Journal of Functional Materials, 2014, 0(24) | |
| Authors: | XU Ya-dong WANG Chang-sheng GU Ya-xu GUO Rong-rong SU Chun-lei JIE Wan-qi |
| Abstract: | |
| Keywords: | CdZnTe timing response pulsed X-ray charge carrier trapping center |
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