大体积CsI-SiPINγ计数探测器系统的研制

2008年度完成了探测器制备工艺的改进，研制了50、100mm。全耗尽SiPIN光电二极管样品。从漏电流测量结果看，探测器在全耗尽电压100V时，漏电流为8．9nA，可满足要求。对新研制的100衄n2全耗尽SiPIN光电二极管与不同形状的CsI晶体进行了光学耦合。对封装好的CsI—SiPINγ探测器进行了对137Cs661keVγ射线的能谱响应测量，同时测量了本底噪声谱，得到了能量下限为170keV。