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大体积CsI-SiPINγ计数探测器系统的研制
作者姓名:
张万昌
摘 要:
2008年度完成了探测器制备工艺的改进,研制了50、100mm。全耗尽SiPIN光电二极管样品。从漏电流测量结果看,探测器在全耗尽电压100V时,漏电流为8.9nA,可满足要求。对新研制的100衄n2全耗尽SiPIN光电二极管与不同形状的CsI晶体进行了光学耦合。对封装好的CsI—SiPINγ探测器进行了对137Cs661keVγ射线的能谱响应测量,同时测量了本底噪声谱,得到了能量下限为170keV。
关 键 词:
探测器系统
PIN光电二极管
大体积
漏电流测量
CsI晶体
计数
全耗尽
制备工艺
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