一种无隔离区的DYL MOS混合集成新电路 |
| |
引用本文: | 王守觉,夏永伟,孔令坤,李远镜,何乃明.一种无隔离区的DYL MOS混合集成新电路[J].电子学报,1986(1). |
| |
作者姓名: | 王守觉 夏永伟 孔令坤 李远镜 何乃明 |
| |
作者单位: | 中国科学院半导体研究所 北京
(王守觉,夏永伟,孔令坤,李远镜),中国科学院半导体研究所 北京(何乃明) |
| |
摘 要: | 本文实现了一种无隔离区的DYL MOS混合集成的新电路。考虑到多元逻辑电路的主要基本单元线性“与或’门和MOS集成电路的自隔离特点,只要对它的工艺过程稍加调整,即可在同一芯片上制成了互相隔离的适合线性“与或”门需要的大,小β晶体管和P沟道MOS晶体管。用这种集成技术,在N型硅片上试作了由双极晶体管和P沟道MOS晶体管组成的反相单元。这种电路工艺简单,可与DYL线性“与或”门在工艺上兼容,具有输入阻抗高、输出阻抗小,并可和DYL电路与TTL电路相容等优点。
|
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|