基于扩展规格书数据的SiC功率MOSFET建模

本文提出一种实用的SiC功率MOSFET建模方法。所建立的模型可在图形化仿真软件中实现，用于电力电子电路损耗分析。首先，基于器件规格书数据建立器件的静态模型；然后，对SiC功率MOSFET的物理结构、物理特性进行分析，依据分析结果对规格书数据进行扩展，建立模型的各个动态部分，从而构成完整的模型；最后，建立多种商用SiC功率MOSFET模型，并对模型进行仿真和实验验证，验证结果显示模型具有令人满意的精度和适用范围。本文建模方法所用数据仅源自产品规格书，无须通过测量获取规格书之外的其他数据。