| Cu溅射诱导增强量子阱混杂实验研究 |
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| 引用本文： | 崔晓,张灿,梁松,Hou Lianping,朱洪亮.Cu溅射诱导增强量子阱混杂实验研究[J].光电子．激光,2014(7):1332-1337. |
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| 作者姓名： | 崔晓 张灿 梁松 Hou Lianping 朱洪亮 |
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| 作者单位： | 中国科学院 半导体研究所,材料科学重点试验室,北京100083;中国科学院 半导体研究所,材料科学重点试验室,北京100083;中国科学院 半导体研究所,材料科学重点试验室,北京100083;School of Engineer ing,University of Glasgow,Glasgow,G128LT;中国科学院 半导体研究所,材料科学重点试验室,北京100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61320106013,61274071)资助项目 (1.中国科学院半导体研究所,材料科学重点试验室,北京100083; 2.School of Engineer ing,University of Glasgow,Glasgow,G128LT) |
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| 摘 要： | 在InP基异质结InGaAsP多量子阱(MQW)结构上溅射Cu/SiO2复合层,开展了量子阱混杂(QWI)材料的实验研究。经快速退火(RTA),实现了比常规无杂质空位扩散(IFVD)方法更大的带隙波长蓝移量。在750℃、200s的退火条件下,获得最大172nm的波长蓝移;通过改变退火条件,可实现不同程度的蓝移,满足光子集成技术中不同器件对带隙波长的需求。为了验证其用于光子集成领域的可行性,利用混杂技术分别制备了宽条激光器和单片集成电吸收调制激光器(EML)。在675℃退火温度,80s、120s和200s的退火时间下分别实现了61、81和98nm的波长蓝移;并且,相应的宽条激光器的电激射光(EL)谱偏调量与其材料的光致荧光(PL)谱偏调量基本一致。在675℃、120s退火条件下,制备的EML集成器件中,电吸收调制器(EAM)和分布反馈(DFB)激光器区的蓝移量分别83nm和23.7nm,相对带隙差为59.3nm。EML集成器件在激光器注入电流为100mA、调制器零偏压时出光功率达到9.6mW;EAM施加-5V反向偏压时静态消光比达16.4dB。
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| 关 键 词： | 量子阱混杂(QWI) 宽条激光器 电吸收调制激光器(EML) |
| 收稿时间： | 2014/3/21 0:00:00 |
Study on enhanced quantum well intermixing by Cu sputtering |
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| CUI Xiao,ZHANG Can,LIANG Song,HOU Lian-ping and ZHU H ong-liang.Study on enhanced quantum well intermixing by Cu sputtering[J].Journal of Optoelectronics·laser,2014(7):1332-1337. |
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| Authors: | CUI Xiao ZHANG Can LIANG Song HOU Lian-ping and ZHU H ong-liang |
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| Affiliation: | Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors ,Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors ,Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083,China;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors ,Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083,China;School of Engineering,University of Glasgow,Oakfield Ave nue,Glasgow,UK,G128LT;Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors ,Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | quantum well intermixing (QWI) broad area laser electro-absorption modulated laser (EML) |
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