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射频磁控溅射的不同厚度MgF2薄膜的微结构和应力特性
引用本文:孙兆奇,吕建国,何玉平,宋学萍. 射频磁控溅射的不同厚度MgF2薄膜的微结构和应力特性[J]. 硅酸盐学报, 2004, 32(6): 700-703
作者姓名:孙兆奇  吕建国  何玉平  宋学萍
作者单位:安徽大学物理系,合肥,230039
基金项目:国家自然科学基金(59972001)、安徽省自然科学基金(01044901)、安徽省教育厅科研基金(99JL0024)及安徽大学人才队伍建设基金资助项目.
摘    要:用射频磁控溅射法在室温Si基片上制备了60.7~1545.0nm范围内不同厚度的MgF2薄膜,并用X射线衍射及激光干涉相移技术对不同厚度MgF2薄膜微结构和应力分布进行了测试分析。结构分析表明:制备的MgF2薄膜呈多晶状态,仍为四方结构;随膜厚由420.0nm增加到1545.0nm,膜的平均晶粒尺寸由3.2tim逐渐增大到14.5nnl。应力研究表明:所制备的MgF2薄膜在Ф≠30mm选区内全场平均应力均表现为张应力;随膜厚增加,MgR薄膜中的平均应力值起始时呈近似线性缓慢减小,当膜厚大于1200nm时,其选区平均应力及应力差基本趋于稳定。

关 键 词:氟化镁薄膜 射频磁控溅射 微结构 应力特性
文章编号:0454-5648(2004)06-0700-04
修稿时间:2003-08-11

MICROSTRUCTURE AND STRESS PROPERTIES OF RADIO FREQUENCY MAGNETRON SPUTTERING MgF2 FILMS WITH DIFFERENT THICKNESSES
Abstract:
Keywords:magnesium fluoride films  radio-frequency magnetron sputtering  microstructure  stress properties  
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