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特大尺寸轻型碳化硅镜坯烧结工艺研究
引用本文:赵文兴,张舸. 特大尺寸轻型碳化硅镜坯烧结工艺研究[J]. 硅酸盐通报, 2014, 33(11): 2838-2842
作者姓名:赵文兴  张舸
作者单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院光学系统先进制造技术重点实验室,长春130033
摘    要:本文分析了反应烧结过程中温度场分布对碳化硅(SiC)镜坯的影响,提出安全升降温速率与陶瓷坯体尺寸的平方成反比关系;测试了SiC素坯热膨胀系数、导热系数与温度的关系,在此基础上讨论了镜坯中的热应力与安全升降温参数的确定;同时通过对固态、液态硅(Si)以及Si固液态转变的特性分析,确定了最佳硅熔渗温度;最后分析了反应烧结SiC(RBSiC)中残余应力的产生机理,提出了解决办法.

关 键 词:反应烧结碳化硅  温度场  素坯  熔融硅,

Study on Sintering Process of Ultra-Large-Scale Lightweight SiC Mirror Blank
ZHAO Wen-xing,ZHANG Ge. Study on Sintering Process of Ultra-Large-Scale Lightweight SiC Mirror Blank[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2014, 33(11): 2838-2842
Authors:ZHAO Wen-xing  ZHANG Ge
Abstract:
Keywords:reaction bonded silicon carbide  temperature field  green body  silicon melt,
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