| 钨丝掺杂对碳化硅放电等离子烧结工艺曲线的影响研究 |
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| 引用本文： | 孙红婵,胡冰,张桓,李晨辉,王鑫阁,张红松. 钨丝掺杂对碳化硅放电等离子烧结工艺曲线的影响研究[J]. 硅酸盐通报, 2014, 33(12): 3196-3199 |
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| 作者姓名： | 孙红婵 胡冰 张桓 李晨辉 王鑫阁 张红松 |
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| 作者单位： | 河北联合大学机械工程学院,唐山,063009;河南工程学院机械工程学院,郑州,451191 |
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| 摘 要： | 采用放电等离子烧结技术分别制备了SiC和钨丝掺杂SiC材料,记录了两种材料烧结工艺曲线,利用XRD方法测定了制备材料的成分.分析工艺曲线结果表明:烧结过程可分为4个阶段,其中SiC-W烧结第二阶段温度明显低于SiC烧结温度,且位移量小于SiC.
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| 关 键 词： | 碳化硅 钨丝 烧结工艺, |
Influence Research on Sintering Process Curve of SiC Doped W by SPS |
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| SUN Hong-chan,HU Bing,ZHANG Huan,LI Chen-hui,WANG Xin-ge,ZHANG Hong-song. Influence Research on Sintering Process Curve of SiC Doped W by SPS[J]. Bulletin of the Chinese Ceramic Society, 2014, 33(12): 3196-3199 |
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| Authors: | SUN Hong-chan HU Bing ZHANG Huan LI Chen-hui WANG Xin-ge ZHANG Hong-song |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC W sintering process, |
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