| 室温直流反应磁控溅射制备透明导电In2O3:Mo薄膜 |
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| 引用本文： | 缪维娜,李喜峰,张群,黄丽,章壮健,张莉,严学俭.室温直流反应磁控溅射制备透明导电In2O3:Mo薄膜[J].真空科学与技术学报,2005,25(4):301-305. |
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| 作者姓名： | 缪维娜 李喜峰 张群 黄丽 章壮健 张莉 严学俭 |
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| 作者单位： | 复旦大学材料科学系,上海,200433 |
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| 摘 要： | 在室温条件下采用直流反应磁控溅射法制备了新型透明导电In2O3:Mo薄膜.研究了溅射压强中氧气百分含量P(O2)]为8.0%～18.0%时对薄膜光电特性以及表面形貌结构的影响.结果表明,薄膜的光电性能对溅射压强中P(O2)非常敏感.分析显示P(O2)决定了薄膜中的氧空位含量和载流子浓度,从而影响了薄膜的光电特性.原子力显微镜观察表明,适量的P(O2)条件下可以获得平均粗糙度为0.3 nm、颗粒均匀、表面平整的薄膜.室温制备的IMO薄膜在可见光区域的平均透射率(含玻璃基底)高达82.1%,电阻率低至5.9×10-4 Ω·cm.
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| 关 键 词： | 透明导电氧化物 In2O3:Mo薄膜 直流反应磁控溅射法 室温 |
| 文章编号： | 1672-7126（2005）04-0301-05 |
| 收稿时间： | 2005-01-25 |
| 修稿时间： | 2005年1月25日 |
Growth of In2O3:Mo Thin Films by DC Reactive Magnetron Sputtering at Room Temperature |
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| Miao Weina,Li Xifeng,Zhang Qun,Huang Li,Zhang Zhuangjian,Zhang Li,Yan Xuejian.Growth of In2O3:Mo Thin Films by DC Reactive Magnetron Sputtering at Room Temperature[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2005,25(4):301-305. |
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| Authors: | Miao Weina Li Xifeng Zhang Qun Huang Li Zhang Zhuangjian Zhang Li Yan Xuejian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Transparent conductive oxide Molybdenum-doped indium oxide films DC reactive magnetron sputtering Room temperature |
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