| 变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性 |
| |
| 引用本文： | 王冲,张金风,杨燕,郝跃,冯倩,张进城. 变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性[J]. 半导体学报, 2006, 27(5): 864-868 |
| |
| 作者姓名： | 王冲 张金风 杨燕 郝跃 冯倩 张进城 |
| |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071 |
| |
| 基金项目： | 国家科技攻关项目 , 国防科技预研基金 , 国防重点实验室基金 , 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| |
| 摘 要： | 通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量,研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25～200℃之间的变化,分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律.得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成,沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论.同时,证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因.
|
| 关 键 词： | 高电子迁移率晶体管 二维电子气 传输线模型 泄漏电流 变温 传输线模型 测量研究 AlGaN HEMT 温度特性 Characteristics Temperatures 器件退化 泄漏电流 特性退化 输运 温度升高 饱和电流 变化规律 缓冲层 比接触电阻 欧姆 方块电阻 沟道 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)05-0864-05 |
| 修稿时间： | 2005-12-27 |
Temperature Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Using C-V and TLM for Evaluating Temperatures |
| |
| Wang Chong,Zhang Jinfeng,Yang Yan,Hao Yue,Feng Qian and Zhang Jincheng. Temperature Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Using C-V and TLM for Evaluating Temperatures[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(5): 864-868 |
| |
| Authors: | Wang Chong Zhang Jinfeng Yang Yan Hao Yue Feng Qian Zhang Jincheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | high electron mobility transistors 2DEG TLM leakage current |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
