| 0.18 μm 1.8 V 10 bit 100 MS/s CMOS电流舵D/A IP设计与验证 |
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| 引用本文： | 邵博闻,刘芸,俞慧月,易伟,张辉.0.18 μm 1.8 V 10 bit 100 MS/s CMOS电流舵D/A IP设计与验证[J].半导体技术,2010,35(6):614-617. |
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| 作者姓名： | 邵博闻 刘芸 俞慧月 易伟 张辉 |
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| 作者单位： | 上海硅知识产权交易中心,上海,200030;上海硅知识产权交易中心,上海,200030;上海硅知识产权交易中心,上海,200030;上海硅知识产权交易中心,上海,200030;上海硅知识产权交易中心,上海,200030 |
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| 摘 要： | 基于GSMC 0.18μm CMOS工艺,采用曲率补偿带隙参考电压源和中心对称Q2随机游动对策拓扑方式的NMOS电流源阵列版图布局,实现了一种10 bit 100 MS/s分段温度计译码CMOS电流舵D/A转换器.当电源电压为1.8 V时,D/A转换器的功耗为10 mW,微分非线性误差和积分非线性误差分别为1 LSB和0.5 LSB.在取样速率为100 MS/s,输出频率为5 MHz条件下,SFDR为70 dB,10 bit D/A转换器的有效版图面积为0.2 mm2,符合SOC的嵌入式设计要求.
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| 关 键 词： | 电流舵DAC 低功耗 电流源阵列 匹配误差 带隙基准电压源 |
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