| β-Sn与4H-SiC界面性质的第一性原理计算 |
| |
| 引用本文： | 马志鹏,李昊宣,张茗瑄,许志武.β-Sn与4H-SiC界面性质的第一性原理计算[J].兵器材料科学与工程,2019,42(3):17-20. |
| |
| 作者姓名： | 马志鹏 李昊宣 张茗瑄 许志武 |
| |
| 作者单位： | 东北石油大学材料科学与工程系,黑龙江大庆,163318;哈尔滨工业大学先进焊接与连接国家重点实验室,黑龙江哈尔滨,150001 |
| |
| 摘 要： | 为研究金属钎料与SiC陶瓷的界面结合方式,采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对Sn(001)/4H-SiC(0001)界面进行几何优化,得到优化后界面体系的结构,从分离功表征结合强度以及电子结构布居分析的角度解释界面结合本质和键合方式。结果表明:SiC陶瓷中C封端界面的分离功高于Si封端界面的分离功,Sn原子与C原子间形成的离子共价键在界面结合的成键中占有主要的地位。
|
| 关 键 词： | SiC陶瓷 Sn基钎料 界面 电子结构 第一性原理 |
The first principles calculation of the interfacial properties of β-Sn and 4H-SiC |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
