| 碳化硅纳米线的形貌和微结构TEM表征 |
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| 引用本文： | 张跃飞,韩晓东,郑坤,张泽,郝雅娟,郭向云. 碳化硅纳米线的形貌和微结构TEM表征[J]. 电子显微学报, 2005, 24(4): 257-257 |
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| 作者姓名： | 张跃飞 韩晓东 郑坤 张泽 郝雅娟 郭向云 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学固体微结构研究所,北京,100022
2. 中国科学院山西煤炭化学研究所,国家煤炭转化重点实验室,山西,太原,030001 |
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| 摘 要： | 由于SiC纳米线优越的力学、热学及电学性能和高的物理、化学稳定性、热导率、临界击穿电场、电子饱和迁移率等特性，一维SiC纳米线在高温、高频、大功率和高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力；也可作为塑料、金属和陶瓷等复合材料的增强相，同时也是人们研究低维材料的物理、力学性能与尺寸效应的典型材料。
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| 关 键 词： | 硅纳米线 TEM表征 微结构 集成电子器件 形貌 碳化 复合材料 力学性能 化学稳定性 |
Morphological and micro-structural features of SiC nano-wires studied by TEM |
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| ZHANG Yue-fei,HAN Xiao-dong,ZHENG Kun,ZHANG Ze,HAO Ya-juan,GUO Xiang-yun. Morphological and micro-structural features of SiC nano-wires studied by TEM[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2005, 24(4): 257-257 |
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| Authors: | ZHANG Yue-fei HAN Xiao-dong ZHENG Kun ZHANG Ze HAO Ya-juan GUO Xiang-yun |
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