| 制备参数和后处理对ZnO薄膜光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 梁德春,李清山,张立春,徐言东.制备参数和后处理对ZnO薄膜光学性质的影响[J].四川激光,2008,29(5). |
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| 作者姓名： | 梁德春 李清山 张立春 徐言东 |
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| 作者单位： | 曲阜师范大学物理工程学院，海军航空工程学院 |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积技术在不同生长气氛氧压(10-3pa1、0-2Pa、10-1Pa、1Pa、10Pa)和生长衬底温度(250~600℃)下制备了高度c轴取向的ZnO薄膜。光致发光(PL)光谱表明,氧压和衬底温度对ZnO的光学性质有重要影响。制备紫外(UV)发射强的ZnO薄膜,要综合考虑氧压和衬底温度两个参数,衬底温度升高,氧气氛压强要相应升高。进一步研究表明,在化学配比失衡的情况下,升高衬底温度和退火会在ZnO中产生缺陷和杂质束缚电子态,束缚电子态引起的晶格弛豫使局域电子态发生多声子无辐射跃迁,ZnO深能级发射由辐射复合变为无辐射复合。
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 制备参数 退火 晶格弛豫 |
The effect of growth parameters and post-processing on the optical properties of ZnO thin films |
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| LIANG De-chun,LI Qing-shan,ZHANG Li-chun,XU Yan-dong.The effect of growth parameters and post-processing on the optical properties of ZnO thin films[J].Laser Journal,2008,29(5). |
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| Authors: | LIANG De-chun LI Qing-shan ZHANG Li-chun XU Yan-dong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PLD deposition parameters annealing lattice relaxation |
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