| 反应磁控溅射制备SnO2薄膜及其微观形貌与光致发光性能研究 |
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| 引用本文： | 姚宏燚,袁志钟,熊志高,翟艺璇,李东升. 反应磁控溅射制备SnO2薄膜及其微观形貌与光致发光性能研究[J]. 材料导报, 2016, 30(18): 1-5. DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.18.001 |
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| 作者姓名： | 姚宏燚 袁志钟 熊志高 翟艺璇 李东升 |
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| 作者单位： | 1. 江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013;2. 浙江大学材料科学与工程学院,硅材料国家重点实验室,杭州310027 |
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| 基金项目： | 国家重点实验室开放基金(SKL2010-10) |
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| 摘 要： | 利用反应磁控溅射法(RMS)制备了SnO_2薄膜,并研究了溅射参数对薄膜微观结构和光学性能的影响。结果表明,随着溅射气压、氧分压的增大和衬底温度的升高,薄膜沉积速率相应减小;在不同衬底温度下(室温至600℃)溅射薄膜时,较高的衬底温度可得到较大的SnO_2晶粒,表面更为粗糙;此外,将原生SnO_2薄膜在O_2气氛下退火可以改善其结晶度,原本的柱状结构转变成致密的薄膜结构,其光学禁带宽度变宽至3.85eV;经过退火的SnO_2薄膜的光致发光(PL)强度显著增强,位于约610nm的PL发光峰主要是源于SnO_2纳米晶体表面悬挂键的未饱和电子态。
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| 关 键 词： | SnO2薄膜 反应磁控溅射 光致发光 光学禁带 |
Microstructure and Photoluminescence of SnO2 Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering |
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| YAO Hongyi,YUAN Zhizhong,XIONG Zhigao,ZHAI Yixuan and LI Dongsheng. Microstructure and Photoluminescence of SnO2 Thin Films Prepared by Reactive Magnetron Sputtering[J]. Materials Review, 2016, 30(18): 1-5. DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2016.18.001 |
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| Authors: | YAO Hongyi YUAN Zhizhong XIONG Zhigao ZHAI Yixuan LI Dongsheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SnO2 thin film reactive magnetron sputtering photoluminescence optical band gap |
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