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| 具有多场限环终端的PiN二极管反向击穿的研究 | |
| 作者姓名： | 刘晓忠 汪再兴 孙霞霞 郑丽君 高金辉 |
| 摘 要： | 场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件.场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力.本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端仿真模型,并设计十道场限环作为终端结构.分别仿真场限环结深和漂移区掺杂浓度与主结的击穿电压的关系,得到结深和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系曲线.当漂移区掺... |
| 关 键 词： | PiN二极管 场限环 击穿电压 结深 漂移区掺杂浓度 电场分布 |