| 0.18 μm射频SOI LDMOS功率器件的研究 |
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| 引用本文： | 廖小平. 0.18 μm射频SOI LDMOS功率器件的研究[J]. 微电子学, 2006, 36(1): 30-32 |
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| 作者姓名： | 廖小平 |
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| 作者单位： | 东南大学MEMS教育部重点实验室,江苏,南京,210096 |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金 |
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| 摘 要： | 在提出0.18μm射频SOI LDMOS功率器件研究方法的基础上,对工艺进行了设计,并制备了栅宽为1 200μm,栅长为0.7μm,漏的注入区与栅的距离为1.5μm的0.18μm射频SOILDMOS功率器件。对器件进行了测试和模拟,在工作频率为3 GHz,直流偏置电压VDS为3 V,VGS为1.5 V,输入功率Pin为5 dBm时,Pout、增益和PAE分别为15 dBm1、0 dB和35%。
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| 关 键 词： | 射频 SOI LDMOS 功率器件 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）01-0030-03 |
| 收稿时间： | 2005-04-19 |
| 修稿时间： | 2005-04-192005-07-04 |
A Study on 0.18 μm RF SOI LDMOS Power Device |
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| LIAO Xiao-ping. A Study on 0.18 μm RF SOI LDMOS Power Device[J]. Microelectronics, 2006, 36(1): 30-32 |
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| Authors: | LIAO Xiao-ping |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Radio frequency SOI LDMOS Power device |
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