硅的离子束抛光技术研究 |
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引用本文: | 洪义麟,付绍军,陶晓明,黄文浩,褚家如,L.Monica,A.M.Baro.硅的离子束抛光技术研究[J].真空科学与技术学报,1995(6). |
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作者姓名: | 洪义麟 付绍军 陶晓明 黄文浩 褚家如 L.Monica A.M.Baro |
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作者单位: | 中国科技大学国家同步辐射实验室!合肥230026(洪义麟,付绍军,陶晓明),中国科技大学精密机械系!合肥230026(黄文浩,褚家如),西班牙马德里自治大学凝聚态材料系(L.Monica),西班牙马德里自治大学凝聚态材(A.M.Baro) |
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摘 要: | 介绍了用离子束抛光法获得硅的超光滑表面的方法,并给出了不同抛光条件下表面粗糙度的原子力显微镜(AFM)测量结果,其中最好的表面粗糙度达0.12nm(有效值)。
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关 键 词: | 离子束抛光 硅 超光滑表面 |
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