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| 一种改进的高精度低功耗过温保护电路 | |
| 引用本文： | 吴俊,邹雪城,李思臻,鲁力,杨诗洋,洪毅. 一种改进的高精度低功耗过温保护电路[J]. 微电子学与计算机, 2009, 26(2) |
| 作者姓名： | 吴俊 邹雪城 李思臻 鲁力 杨诗洋 洪毅 |
| 作者单位： | 1. 武汉集成电路设计工程技术研究中心,湖北,武汉,430074 2. 华中科技大学超大规模集成电路与系统实验室,湖北,武汉,430074;武汉集成电路设计工程技术研究中心,湖北,武汉,430074 3. 华中科技大学超大规模集成电路与系统实验室,湖北,武汉,430074 |
| 摘 要： | 为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,文中提出一种改进的高精度、低功耗,具有迟滞功能,结构简单的过温保护电路.基于JAZZ BCD 0.5μm工艺库模型,采用Cadence的Spectre仿真器进行模拟验证,结果表明:当温度超过140℃时,电路输出信号发生翻转,控制芯片停止工作;当温度降至118℃时,恢复芯片工作.在电源电压VDD工作范围2.9～6V内,过温保护阚值变化量为0.275℃,迟滞阚值变化量为0.225℃.典型工作状态下,电路的静态电流为46μA.因此该电路适用于各种电源管理芯片. |
| 关 键 词： | 过温保护 高精度 迟滞 BCD工艺 |
An Improved Thermal-Shutdown Circuit with High Precision and Low Power Consumption |
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| WU Jun,ZOU Xue-cheng,LI Si-zhen,LU Li,YANG Shi-yang,HONG Yi. An Improved Thermal-Shutdown Circuit with High Precision and Low Power Consumption[J]. Microelectronics & Computer, 2009, 26(2) | |
| Authors: | WU Jun ZOU Xue-cheng LI Si-zhen LU Li YANG Shi-yang HONG Yi |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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