飞兆半导体100V MOSFET为电源设计带来低达50％的RDS（ON）

飞兆半导体公司为隔离式DC-DC应用设计人员提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低达50％的RDS（ON）和出色的品质因数（figure of merits，FOM），有效提高电源设计的效率。FDMS86101是采用5mm×6mm MLP Power56封装的100V MOSFET器件，使用了飞兆半导体先进的PowerTrench工艺技术，能够最大限度地减小导通阻抗，同时保持优良的开关性能和稳健性。